Opis
Isporuka uključuje
MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: SI2303CDS-T1-GE3
EAN koda: 2050003223614
Registrirana blagovna znamka: Vishay
Ime proizvajalca: Vishay Electronic GmbH
Naslov proizvajalca: Hofmark-Aich-Str. 36
Poštna številka proizvajalca: 84030
Kraj proizvajalca: Landshut
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +499287710
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.vishay.com/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Podatkovna tablica 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Upute za rad i sigurnost 597295 MOSFET Vishay SI2303CDS-T1-GE3 1 P-kanal 2.3 W SOT-23-3
Tehnički podaci
| Tip |
SI2303CDS-T1-GE3 |
|---|---|
| Vrsta proizvoda |
MOSFET |
| Kućište |
SOT-23-3 |
| Proizvođač |
Vishay |
| Proiz. |
VIS |
| Izvedba |
P-kanal |
| I(d) |
2.7 A |
| U(BR) (DSS) |
30 V |
| Snaga (maks) P(TOT) |
2.3 W |
| R(DS)(on) |
190 mΩ |
| R(DS)(on) referentna struja |
1.9 A |
| R(DS)(on) referentni napon |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
3 V |
| U(GS)(th) referentna struja maks. |
250 µA |
| Q(G) |
8 nC |
| Q(G) referentni napon |
10 V |
| C(ISS) |
155 pF |
| Referentni napon |
15 V |
| Radna temperatura (min.) |
-55 °C |
| Vrsta montaže |
površinska ugradnja |
| Serija |
TrenchFET® |
| Radna temperatura (maks.) |
+150 °C |
| Karakteristika transistora |
standardno |
| U(DSS) |
30 V |
| Kanali |
1 |
| Sadržaj |
1 St. |
- Reći naprijed:
-
-
-
0 od 5