Infineon Technologies IRF5210PBF MOSFET 1 p kanal 200 W TO-220

Marka Infineon Technologies

(0 ocen)

3,29 EUR

(= 24,79 kn)

Opis

MOSFET Infineon Technologies IRF5210PBF 1 P-kanal 200 W TO-220

Tip	IRF5210PBF
Kućište	TO-220
Proizvođač	Infineon Technologies
Proiz.	INF
Izvedba	p kanal
I(d)	40 A
U(BR) (DSS)	100 V
Snaga (maks) P(TOT)	200 W
R(DS)(on)	60 mΩ
R(DS)(on) referentna struja	24 A
R(DS)(on) referentni napon	10 V
U(GS)(th) maks.	4 V
U(GS)(th) referentna struja maks.	250 µA
Q(G)	180 nC
Q(G) referentni napon	10 V
C(ISS)	2700 pF
Referentni napon	25 V
Radna temperatura (min.)	-55 °C
Vrsta montaže	otvor za skoznik
Serija	HEXFET®
Radna temperatura (maks.)	+175 °C
Karakteristika transistora	standardno
U(DSS)	100 V
Kanali	1
Sadržaj	1 St.
Vrsta proizvoda	MOSFET

Izdelek nima komentarjev.

Skupna ocena:

Ocene pri komentarjih:

Vaša ocjena: