Opis
Isporuka uključuje
MOSFET Infineon Technologies BSS84P 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Varnost izdelkov (GPSR)
Proizvajalčeva koda: BSS84P
EAN koda: 2050000020520
Registrirana blagovna znamka: Infineon Technologies
Ime proizvajalca: Infineon Technologies AG
Naslov proizvajalca: Am Campeon 1-15
Poštna številka proizvajalca: 85579
Kraj proizvajalca: Neubiberg
Država proizvajalca: Germany
Telefon proizvajalca: +49892340
Elektronski kontakt proizvajalca: https://www.infineon.com/cms/de/
Kontakt odgovorne osebe za varnost: [email protected]
Država odgovorne osebe za varnost: Nemčija
Dokumenti
Podatkovna tablica 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Upute za rad i sigurnost 153060 Infineon Technologies BSS84P MOSFET 1 P-kanal 360 mW TO-236-3
Tehnički podaci
| Tip |
BSS84P |
|---|---|
| Vrsta proizvoda |
MOSFET |
| Kućište |
TO-236-3 |
| Proizvođač |
Infineon Technologies |
| Proiz. |
INF |
| Izvedba |
P-kanal |
| I(d) |
170 mA |
| U(BR) (DSS) |
60 V |
| Snaga (maks) P(TOT) |
360 mW |
| R(DS)(on) |
8 Ω |
| R(DS)(on) referentna struja |
170 mA |
| R(DS)(on) referentni napon |
10 V |
| U(GS)(th) maks. |
2 V |
| U(GS)(th) referentna struja maks. |
20 µA |
| Q(G) |
1.5 nC |
| Q(G) referentni napon |
10 V |
| C(ISS) |
19 pF |
| Referentni napon |
25 V |
| Radna temperatura (min.) |
-55 °C |
| Vrsta montaže |
površinska ugradnja |
| Serija |
SIPMOS® |
| Radna temperatura (maks.) |
+150 °C |
| Karakteristika transistora |
razina logičkih vrata |
| U(DSS) |
60 V |
| Kanali |
1 |
| Sadržaj |
1 St. |
- Reći naprijed:
-
-
-
0 od 5